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英特尔晶片技术英特尔、美光推出采用3-Bit-Per-Cell技术业界最高效率的NAND产品

由英特尔、美光共同设立的NAND合资企业IM Flash Technologies,以34奈米NAND制程,开发了3-bit-per-cell新技术,生产出目前市场上尺寸最小、性价比最高的32Gb晶片。该晶片因具有高密度和高性价比的特性,因此适用于快闪记忆卡和USB驱动器等消费储存设备。

  英特尔及美光不断致力于新的制程微缩(process shrink)研发,此次推出的3bpc NAND技术,将会成为其未来有效区隔市场的关键。32Gb 3bpc NAND晶片面积为126mm2,预计将在2009年第四季投入量产。

  美光记忆体事业部副总裁Brian Shirley表示,3bpc NAND技术是产品规划蓝图上很重要的部分,美光和英特尔在34奈米NAND技术上已取得重大进展,并期盼能在今年下半年推出2xnm技术。

  英特尔副总裁、NAND解决方案事业部总经理Randy Wilhelm表示,3bpc技术代表英特尔和美光在34奈米NAND开发过程中,取得突破的又一项证明,并且为其2xnm矽加工制程,奠定了领先地位的基础。2xnm制程将有助于拓展NAND解决方案的功能,并能协助客户达到节省成本的目标。
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