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器件功耗沟道飞兆MOSFET FDMA1024NZ/410NZ有效延长电池寿命

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)推出FDMA1024NZ和FDMA410NZ双N沟道和单N沟道MOSFET器件,可为手机、电动牙刷和须刨等应用延长电池寿命。

这两款产品采用具有高热效的2mm×2mm×0.8mm MicroFET MLP封装,适用于空间受限的应用,提供出色的功耗和超低RDS(ON) ,能大大延长电池的寿命,这些高效MicroFET MOSFET有助于应对现今功能丰富的便携式应用所对的功耗挑战。

FDMA410NZ为便携产品设计人员提供了业界最低的RDS(ON),4.5V时为23 mΩ,采用纤细2mm×2mm封装,两款产品均可确保在VGS低至1.5V时达到RDS(ON)额定值,适用于锂离子或原电池应用。

飞兆半导体性能先进的PowerTrench MOSFET工艺技术可实现非常低的RDS(on)、总栅极电荷(QG) 和米勒电荷(QGD),从而获得出色的开关性能和热效率。相比传统的MOSFET封装,其先进的MicroFET封装提供了卓越的功耗和传导损耗特性。

飞兆半导体提供业界最广泛的高热效、超紧凑、薄型2mm×2mm器件,适合各种低功耗应用。这些易于使用、高性能、而且节省空间的MOSFET是低压开关、功率管理和电池充电系统的理想选择。

价格(订购1000个,每个) : 每个FDMA1024NZ器件为0.42美元;每个FDMA410NZ器件为0.38美元

供货: 现提供样品

交货期: 收到订单后10至12周内
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