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富士通微电子总线NEC电子发布40nm工艺系统LSI 可混载512Mbit的DRAM

富士通微电子将上市总线宽度64bit、存储容量256Mbit的消费产品用FCRAM“MB81EDS256545”。其与逻辑电路LSI集成在1个封装内,面向SiP(System in Package)封装。设想用于数字电视和数码摄像机等数字家电产品。消费产品专用FCRAM,是在该公司等开发的FCRAM(Fast Cycle Random Access Memory)内核上,组合使用Low Power DDR SDRAM接口制成的。

  该产品的字结构为1M字×64bit×4Bank。工作频率最大为216MHz,数据传输速度最大为3.46GB/秒。与使用2个总线宽度16bit的DDR2 SDRAM实现同等数据传输速度时相比,可降低工作频率。因此,有可能消除终端电阻,降低功耗。电源电压为+1.7~1.95V。

  提供形态为晶圆或者WLP(晶圆级封装)。现已开始样品供货。样品价格含税为1000日元。富士通微电子的目标是月销售量100万个。
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