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转换器电阻芯片组IR推出超小型优化DirectFET MOSFET芯片组

(华强电子世界网讯)功率半导体厂商国际整流器公司 (IR) 推出超小体积的控制和同步MOSFET芯片组,适用于必须达到小体积、高效率和最大导热性能要求的现有及新一代VRM10.x大电流同步降压转换器。

最新IRF6608控制MOSFET的典型通态电阻 (RDS(on)) 为8.5毫欧,IRF6618同步MOSFET的典型通态电阻则为1.7毫欧,两者均采用IR的DirectFET封装。

IRF6608的体积比标准SO-8封装小一半,它是首项采用崭新双面冷却、表面贴装式DirectFET“S”封装的HEXFET MOSFET。器件仅高0.7毫米,远小于SO-8封装的1.75毫米。与市场上的同类控制MOSFET产品相比,全新IRF6608的通态电阻改善达10%,栅电荷 (QG) 和栅漏电荷 (QGD) 则更低,整体效率高出2%以上,无疑是理想的控制MOSFET。

IRF6618的典型通态电阻为1.7毫欧,最大值为2.2毫欧,优于市场上同类器件25%。该器件最适合同步MOSFET应用,因为低传导损耗在这些应用中极为重要。IRF6618还可用于大电流、隔离式直流-直流转换器的副边同步整流。

有了这个新芯片组,设计师可针对符合VRM 10.x规格的1U (1.75英寸高) 机架尺寸的服务器系统,制作外型极扁 (0.98英寸) 的功率转换器。新芯片组还适用于服务器中的降压转换器及电信和网络通信系统中的负载点转换器。

IR计算机及通信业务部市场经理Carl Blake表示:“采用DirectFET封装的新型IRF6608及IRF6618 MOSFET,为电路设计员提供革命性的崭新工具以解决细小电路空间的散热问题,并有助增强效率和电流处理能力。”


IR的DirectFET功率MOSFET现已列入IR的 myPOWER网上选用指南内,详见 http://www.irf.com/design-center/ipowir/ip2001/index.html。

全新DirectFET MOSFET已有供应,数据表详载于IR网页 http://www.irf.com。(编辑 草色)
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