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分频频率工作英飞凌高速分频IC采用SiGe:C双极技术

(华强电子世界网讯)德国英飞凌科技(Infineon Technologies AG)日前使用SiGe:C(silicon germanium carbon)双极工艺技术,成功开发出110GHz以上的动态分频IC等。据该公司介绍:“与竞争厂商的IC相比,工作频率高出10%~30%”。

  该公司使用SiGe:C双极工艺技术,设计出用于高速通信的主要功能构件模块。该技术的截止频率超过200GHz,环形振荡器的门延迟时间为3.7p秒。“对制作的电路性能进行测量后,显示了适合模拟及数字两种用途的、平衡性良好的晶体管特性,而且噪音极低”(该公司)。

  英飞凌使用上述工艺技术制作的IC如下。

·最大输入频率110GHz以上的动态分频IC。分频比为2、工作电压为5V、耗电量为62mA

·最大输入频率为86GHz的静态分频IC。分频比为32、工作电压为5V、耗电量为180mA

·能够在95GHz~98GHz间运行的压控振荡器(VCO)。载波的offset频率为1MHz时的位相噪音为-97dBc/Hz。输出为-6dBm、工作电压为5V、电流为12mA

  关于上述产品,该公司解释说:“这表明SiGe双极技术适用于各种高速模拟及数字领域,比如Gbps级别的数据通信、宽带无线、微波产品等”。

  “在不久的将来,将会出现很多基于这一研究成果的元件及产品,比如高速晶体管及二极管等离散型组件、低耗电量的支持40Gps的有线通信系统、高速微波无线连接、最高60GHz的超带宽通信系统、工作频率77GHz的车载雷达系统等”(该公司)。(编辑 Kitty)
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