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器件操作体系结构意法半导体用于下一代移动电话的多片闪存

产品采用该公司最先进的0.15m 技术工艺,将应用在高性能的下一代移动电话。

64兆位的M58WR064ET和 M58WR064EB是首次将多片体系结构、1.8V电源电压和同步突发读模式集于一身的器件,这些器件有助于提高技术更为复杂的第三代移动电话的性能。新的M58WR064ET和M58WR064EB兼有高密度、低功耗、较大的编程吞吐量、小型封装以及多片体系结构提供的高度灵活性。M58WR064ET和M58WR064EB都有一个非对称的块体系结构。每个器件都由可以再细分成135个块的4兆位的片构成,每片含有8个32千字的主块,这种片共有15片,另外还有一个含有8个4千字的参数块和7个32千字主块的参数片。在M58WR064ET 中,参数块位于存储器地址空间的上部,而在M58WR064EB中,参数块位于存储器地址空间的下部。

这种片体系结构允许双重操作:在一个片上进行编程或擦除操作时,可以在另一个片上进行读操作。M58WR064EB 和M58WR064ET可以按照15个4兆位的片进行双重操作,多片体系结构具有更高的双重操作的灵活性。两个器件都支持从存储阵列所有块的同步突发读操作和异步读操作。在上电时,器件配置成异步读模式。在同步突发读模式下,数据在每个时钟周期以最高54MHz的频率输出,此外,还可以进行跨越片边界的突发读操作。

利用一个1.65V 到 2.2V VDD的电路电源和一个1.65V 到 3.3V VDDQ输入/输出引脚电源,这两款器件可以在块级别上进行电擦除,然后可以进行逐字的系统中编程。另外,为加快用户的编程速度,还提供一个12V 的VPP选装电源。M58WR064EB和 M58WR064ET具有快速编程的功能:双倍、四倍字编程和增强型工厂编程。双倍和四倍字编程命令分别用于对2个和4个相邻字并行编程,而增强型工厂编程命令则用于对一个块内的大量数据流编程。

该器件使用VDD电源电压,每个块可以编程和擦除100,000次以上。使用两个增强型工厂编程命令,可以加快编程速度。自动待机模式是这些器件的特性之一,在异步读操作下,当一条总线停止工作150ns后,它们会自动切换成待机模式,在这种条件下,功耗降低了,但输出仍然继续。

新产品采用7.7 x 9mm VFBGA56封装,焊球节距0.75mm,供货时所有位被擦除(设置成“1”)。
(编辑 Maggie)
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