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电阻电压器件Vishay推出新款100VN沟道TrenchFET®功率MOSFET

Vishay Siliconix的新款100VN沟道TrenchFET®功率MOSFET在4.5V下具有业内最低导通电阻

芯片

器件采用新型ThunderFET®技术和SO-8/PowerPAK®SO-8封装

宾夕法尼亚、MALVERN—2011年3月7日—日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出两款新的100VN沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型ThunderFET®技术,在具有4.5V电压等级的100VMOSFET中具有业内最低的导通电阻。此外,该器件的导通电阻与栅极电荷乘积也是同类产品中最佳的,该数值是衡量DC/DC转换器应用中MOSFET性能的优值系数(FOM)。

SiR870DP在4.5V电压下的7.8mΩ导通电阻是业内最低的。这款MOSFET在10V电压下的导通电阻也非常低,仅有6mΩ。对于设计者来说,更低的器件导通电阻意味着更低的传导损耗,同时也使节能的绿色产品减少功耗。

SiR870DP在4.5V电压下具有低至208mΩ-nC的FOM,从而能在更高频率和开关应用中降低传导和开关损耗。对于采用SO-8封装器件的设计者,Si4190DY在10V和4.5V电压下的导通电阻为8.8mΩ和12mΩ,在10V和4.5V下的FOM分别为340mΩ-nC和220mΩ-nC,均达到业内最佳水准。

今天发布的器件针对用于电信的砖式电源和总线转换器应用的隔离式DC/DC电源中初级侧开关和次级侧同步整流进行了优化。这些MOSFET能在4.5V电压下导通,因此各种PWM和栅极驱动IC都能进入到设计者的备选之列。而使用5V额定电压的IC,不但能够降低栅极驱动损耗,而且由于无需使用单独的12V电源轨,能够简化电源的整体设计。

SiR870DP和Si4190DY经过了100%的Rg和UIS测试。MOSFET符合IEC61249-2-21的无卤素规定,并符合RoHS指令2002/95/EC。

器件规格表:

芯片

新款MOSFET现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十六周。

VISHAY简介

Vishay Intertechnology,Inc.是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000强企业”,是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略,以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。

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