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记忆体技术英特尔台积电18寸晶圆厂投资启动

台积电(2330-TW)(TSM-US)今(2011)年资本支出将达78亿美元,年增31.4%,主要以提高研发竞争力为主,公司也在年关过后宣布,启动18寸晶圆厂投资计划,预计于2013年导入试产线,2015年以20奈米开始量产。
  
  由于先进制程客户需求强劲,台积电也指出,降低客户成本,就可提高产品竞争力,相对的客户下单量也会增加,进一步就巩固了台积电的市占率。因此,台积电率先启动18寸晶圆厂投资计划,预料将以20奈米导入,制程技术将超越英特尔的22奈米,也成为继英特尔之后,全球第2家投资18寸厂确定的半导体大厂。
  
  此外,台积电也和无线连接、定位与音讯平台领导厂商CSR扩大合作关系,CSR已采用台积电先进的90奈米嵌入式快闪记忆体制程技术、矽智财与射频CMOS制程推出新一代的无线产品,比上一代0.18微米制程技术与矽智财快2倍,非常符合可携式通讯、智慧卡,和高速微控制器等应用的需求。
  
  台积电全球业务暨行销资深副总经理陈俊圣指出,此次与CSR的技术合作是台积电促进欧洲逻辑IC创新承诺的例证,台积的90奈米嵌入式快闪记忆体制程技术与矽智财支援高效能、低功耗和高密度记忆体,搭配本公司射频CMOS制程,协助CSR推出新一代系统单晶片产品。
  
  CSR营运执行副总裁ChrisLadas强调,CSR和台积电在这次90奈米嵌入式快闪记忆体制程技术的密切合作,使得CSR维持领先开发弹性、整合度高的SoC平台,为消费性电子音讯应用提供杰出的系统效能和最小尺寸的竞争优势。
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