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大陆米制业者IDM抢滩大陆中芯国际奈米级订单丰收

郑茜文/台北整合元件厂(IDM)积极布局大陆市场,为降低成本就近生产,部分IDM选择直接释单给大陆当地晶圆厂,由于台厂在大陆仅放行到0.13微米制程,因此,不少奈米级制程订单转到大陆晶圆厂中芯国际,让近期中芯来自于IDM订单大增,未来恐影响台积电与联电在大陆竞争力。

半导体业者指出,过去IDM在大陆投资设厂主要以封测为主,由于投资晶圆厂风险太大,随著大陆内需市场扩大,IDM希望能抢食这块大饼,因而积极与大陆当地晶圆代工厂合作,近期中芯便接获许多IDM转单,由于目前台积电上海松江厂与联电转投资和舰受限于政府规范,仅有0.13微米以上成熟制程,让许多90及65奈米制程订单转向中芯。

尽管IDM或中芯对此都相当低调,但大陆半导体业者表示,中芯在2010年总算终结亏损命运,营运出现起色,并开始量产65奈米制程,目前已有15个设计定案(tape-out),其中一半是大陆客户,中芯预计2011年下半量产45/40奈米制程,加速拉近与台积电、联电的竞争距离。对于中芯来说,三星电子(SamsungElectronics)并非可畏的对手,其目标在于抢下全球第2宝座。

半导体业者指出,中芯于2011年启动为期5年的「三级跳」计画,将大幅扩充!12吋晶圆产能,预计于2015年12吋年产能将达200万片,届时年营收将达50亿美元。根据计画,中芯第1=跳跃在2011年,将扩充北京一厂65/55奈米产能;第2个跳跃在2011~2012年,快速扩充上海厂45/40奈米产能;第3个跳跃则是在2013~2014年,量产32奈米高介电质金属闸(HKMG)制程,届时中芯制程技术将提升到32/28奈米。

此外,为同步服务IC设计商,中芯亦加大矽智财(IP)投资力道,2010年中芯在IP方面投资金额,便超越过去3年的总和。半导体业者认为,以该计画来看,显见中芯执行长王宁国极具雄心,待中芯奈米级制程更加成熟,除大陆本土IC设计客户,IDM厂亦将扩大投片中芯,对台积电与联电在大陆布局造成威胁。不过,大陆政府是否愿意长期资金奥援,让中芯能完成5年大计,后续仍需观察。

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