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三星东芝半导体东芝450mm晶圆投产态度转趋保守

外界一直认为东芝(Toshiba)会从2011年第3季启动18吋晶圆开发计画,但这项计画很有可能延期。老早表明要全速进军18吋晶圆技术的三星电子(SamsungElectronics),在整体业绩表现不佳的状况下,态度亦转为慎重。
  
半导体晶圆直径从2吋一路演进到现行最大的12吋,未来18吋晶圆投产后,1片18吋晶圆产出的晶片数,将是12吋晶圆的2倍;换言之,晶圆尺寸越大,越有助于降低积体电路的制造成本。
  
因此台积电、英特尔(Intel)及三星等3家半导体巨头,从2003年起就开始发展大尺寸晶圆,企图挤下资金不够雄厚的业者。2008年3家公司发表共同声明,说2012年将是半导体产业进入18吋晶圆制造的适当时机。
  
东芝向来以微细化制造技术见长,对大尺寸晶圆始终采取保留态度,但NANDFlash领域的头号劲敌三星,在发表进军18吋晶圆技术之后,东芝迫于情势只好跟进。业界猜测东芝2011年第3季将开始会有具体动作。
  
然面对2011年连续2季亏损,三星改以减少产能及资本支出因应。东芝见三星缩手,开始思考18吋晶圆产线的必要性,倾向省下投产经费,专注于细微化制程的研发。
  
事实上,以18吋晶圆投产能够降低的?言说A远超过新世代制程。曝光设备现正面临20奈米世代的瓶颈,极紫外光(ExtremeUltraviolet;EUV)技术成为众所期待的新星。EUV是下一代半导体光刻技术,目前已经有多家企业引进EUV微缩制程机台,但购置机台费用相当高昂,而且效率不佳。业界人士表示,如果细微化制程走到死胡同,大尺寸晶圆就是厂商唯一的选择,这样看来18吋晶圆的量产时期订为2015年绝对不算太早。
  
然而发展18吋晶圆,就代表设备商必须大手笔投资研发,花费最多将达到1,000=美元,负担十分沉重。
  
2011年1月,台机电宣布启动18吋晶圆厂投资计画,预计2013年导入试产线,2015年以20奈米开始量产。英特尔正在兴建18吋厂,地点属意该公司先进制程的发源地美国奥勒冈州,预定2013年完成,看来要达成2012年开始量产的目标,已经是不可能的任务,如果三星和东芝再抽腿,半导体业界迈进18吋晶圆的速度将更为缓慢。
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