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技术内存后段成本更低廉 可取代NAND闪存技术问世

5月25日Unity半导体公司不断致力于新内存技术的开发,不久前该公司宣布成功开发一种可取代NAND Flash的新内存技术,相信不久以后,NAND Flash为存储卡和固态硬盘唯一解决方案的局面将出现大幅改变。

Unity的目标是挑战业界最小的芯片尺寸和最低的成本,该公司透过多层储存阵列结构,和一种名为CMOx的新型关键技术来实现这项目标。CMOx主要是在伴有离子运动的半导体制程中,加入一种导电性金属氧化物新材料。

该公司所拥有的新一代NVM技术CMOx,采用CMOx技术的内存产品能拥有高性价比,这使得Unity有能力直取闪存的替代市场大位。目前CMOx主要针对新兴市场应用,如固态硬盘、移动上网装置和智能型手机等。根据市调机构预测,到了2012年,这些应用市场将有90%以上产品采用嵌入式闪存。

CMOx是新一代NVM技术,它采用Unity的专利技术,能在特定的金属氧化物组合中发生转换效应。Unity在CMOx中使用的转换概念不同于传统的闪存技术。CMOx技术的储存效应来自于离子载流子的运动,由于不需要储存单元电晶体,CMOx可用于产生被动式交叉点多层储存阵列。其他的储存技术,如相变化内存(PCM)和磁性随机存取内存(MRAM)等,每个储存单元都需要一个电晶体,因此不符合交叉点多层芯片结构的要求。

除了技术创新,Unity的其他技术优势,还包括可将前段(FEOL)的CMOS芯片制程与后段(BEOL)的内存层制程分离。CMOS芯片不需要新的制程技术,可在CMOS逻辑产线进行生产,以现有的产能,只需拥有90nm的CMOS后段制程即可。根据市场研究机构的预测,Unity乐观预估,到了2010年,该公司的内存市场规模将达到150亿美元左右,2013年则将超过250亿美元。

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