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纳米三星技术美光年底导入40纳米 为明年大战暖身

三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)40纳米制程开始试产,尔必达(Elpida)也考虑在2010年直接从65纳米跳至40纳米制程,美光计划年底在新加坡12寸厂率先导入40纳米制程,将成为美光旗下第1个导入40纳米制程的厂房,为2010年40纳米大战来临作暖身!美光指出,虽然现在多家DRAM厂开始复工生产,但多是采用落后制程生产,也很难募得新资金升级机器设备,因此不认为全球DRAM产业供需会因此恶化。

美光表示,2009、2010年对美光而言,最大的挑战是从目前的68纳米和华亚科的70纳米制程,大量转进50纳米制程,就技术角度而言相当艰钜,且同时也需要庞大的资金挹注,才能完成整个转换过程。

美光分析,在50纳米制程上,预计每生产每1,000片晶圆,每1个月投资金额约1,200万美元,但到了40纳米制程6F2技术上,同样生产1,000片晶圆,每1个月投资金额只需要400万美元,而转进40纳米制程4F2技术后,投资金额可再下降至200万美元,由此可知,整个转换制程的过程中,转进50纳米制程最花钱,但只要完成此阶段性任务,未来40纳米之后的投资额,相对轻松很多。

美光表示,最早由68纳米转进50纳米制程的是美国麻州Virginia厂,目前良率已大幅提升,估计此厂房到年底将有4分之1产能会转进50纳米制程,华亚科则会再下半年开始进入50纳米制程,届时美光的50纳米制程将可大量生产。

2010年即将来临的40纳米大战,三星和海力士目前进度最快,尔必达虽然目前制程仍停留在65纳米制程,但也考虑跳过50纳米制程,2010年直接转进40纳米,以防技术落后竞争对手太多;而美光今2009年虽然积极大量转进50纳米制程,但对于40纳米制程的规画,也着手布局。

美光指出,新加坡厂将在年底开始导入40纳米制程,将是美光旗下第1家导入40纳米制程的厂房,为2010年40纳米世代来临作准备,整体而言,美光在2010年的主力制程是50纳米,2011年制程技术以40纳米的6F2技术为主,2012年则预计导入40纳米制程4F2技术。

从70纳米制程转进50纳米制程,估计成本可下降50%,从50纳米转进40纳米6F2制程,成本可再下降30%,而从40纳米6F2技术转进4F2技术,估计成本可再下滑30%。

目前多家DRAM厂都纷纷宣布取消无薪假,开始复工生产,市场担心正努力朝供需平衡之路迈进的DRAM产业,会面临阻碍,美光则表示,目前台系DRAM厂都停留在落后制程,也很难募得更多资金,来升级机器设备,因此不认为总体产能会增加太多。
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