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三星硬碟记忆体成本低于1美元 2012年SSD取代DRAM

随着东芝(Toshiba)、SanDisk与三星(Samsung)竞相导入20奈米(nm)制程,储存型快闪(NANDFlash)记忆体价格已下探至每GB达1.1美元,预期至2012年将跌至1美元以下,届时,固态硬碟(SSD)市场需求将会首度超越动态随机存取记忆体(DRAM)。

Gartner研究总监王端表示,NANDFlash业者导入更先进奈米制程已势在必行,否则将逐步丧失市场竞争力,而惨遭淘汰。

市场研究机构Gartner研究总监王端表示,三星、海力士(Hynix)和尔必达(Elpida)旗下的DRAM或NANDFlash皆已朝25奈米技术迈进,因此价格竞争将更趋激烈,导致获利幅度变小;目前DRAM价格已下杀至每GB达0.65美元;另一方面,东芝、SanDisk及三星已纷纷迈入20奈米制程,预估2012年NANDFlash价格将不及1美元,进而促使SSD正式取代DRAM。

Gartner研究副总裁BryanLewis分析,DRAM产业受个人电脑(PC)需求减少和价跌的冲击甚深,2011年营收将衰退26.6%;NANDFlash和特定应用积体电路(ASIC)在智慧型手机和iPad热销的带动下,2011年市场规模急速增长,年成长率约达20%。

拜平板装置(TabletDevice)、智慧型手机及固态硬碟(SSD)强劲需求所赐,2011年NANDFlash成长快速,王端认为,未来数年,NANDFlash的应用版图将大于DRAM,因此未来DRAM产业每年营收将减少2%,然NANDFlash的营收年增长率将可达11%。

有鉴于NANDFlash前景可期,激励NANDFlash制造商加码投资,根据Gartner预估,2011年NANDFlash资本支出已高于DRAM,逼近100亿美元,往后数年投资差距将会持续拉大。

尽管现阶段DRAM整体产业较为悲观,年复合成长率调降达2%,然对于行动(Mobile)DRAM的需求仍在,预计未来DRAM供应商将会把投资重心放在MobileDRAM。王端指出,MobileDRAM制程与DRAM相似,惟设计方法迥异。

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